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新一代大尺寸集成電路硅單晶生長設備試產成功
來源:和訊 | 作者:chnchip | 發布時間: 2021-01-07 | 392 次瀏覽 | 分享到:

上圖 國內首臺新一代大尺寸集成電路硅單晶生長設備。

經濟日報-中國經濟網訊 記者報道:由西安理工大學和西安奕斯偉硅片技術有限公司共同研制的國內首臺新一代大尺寸集成電路硅單晶生長設備日前在西安實現一次試產成功。據悉,大尺寸半導體硅單晶材料是制約我國集成電路產業發展的“卡脖子”問題。在該領域實現突破,對滿足我國集成電路產業發展意義重大。

2018年起,西安理工大學劉丁教授團隊與西安奕斯偉硅片技術有限公司緊密協作,開展技術攻關,成功研制出直徑300毫米、長度2100毫米的高品質硅單晶材料。實現了采用自主研發國產裝備拉制成功大尺寸、高品質集成電路級硅單晶材料的突破。



源文地址:http://news.hexun.com/2020-12-25/202698162.html
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