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一片晶圓能切割多少片芯片?
來源: 芯存社 | 作者:chnchip | 發布時間: 2021-06-03 | 433 次瀏覽 | 分享到:

一片晶圓到底可以切割出多少的晶片數目?

這個要根據你的die的大小和wafer的大小以及良率來決定的。

目前業界所謂的6寸,12寸還是18寸晶圓其實就是晶圓直徑的簡稱,只不過這個吋是估算值。實際上的晶圓直徑是分為150mm,300mm以及450mm這三種,而12吋約等于305mm,為了稱呼方便所以稱之為12吋晶圓。

國際上Fab廠通用的計算公式:

再將公式化簡的話就會變成:

X就是所謂的晶圓可切割晶片數(dpw die per wafer)。


科普:wafer、 die 的區別

我們先從一片完整的(Wafer)說起:

Wafer ,由純硅(Si)構成。一般分為6英寸、8英寸、12英寸規格不等,晶片就是基于這個wafer上生產出來的。

Wafer上的一個小塊,就是一個晶片晶圓體,學名die,封裝后就成為一個顆粒。一片載有Nand Flash晶圓的wafer,wafer首先經過切割,然后測試,將完好的、穩定的、足容量的die取下,封裝形成日常所見的Nand 。那么,在wafer上剩余的,要不就是不穩定,要不就是部分損壞所以不足容量,要不就是完全損壞。原廠考慮到質量保證,會將這種die宣布死亡,嚴格定義為廢品全部報廢處理。

品質合格的die切割下去后,原來的就成了下圖的樣子,就是挑剩下的Downgrade Flash Wafer。

這些殘余的die,其實是品質不合格的。被摳走的部分,也就是黑色的部分,是合格的die,而不合格的部分,也就是圖中留下的部分則當做廢品處理掉。



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