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先進工藝需求將持續增長
來源:中芯集成電路編譯自[ICinsights],略有刪改 | 作者:chnchip | 發布時間: 2020-12-17 | 380 次瀏覽 | 分享到:
       網絡,手機和圖形處理器推動了對前沿流程的需求。

       根據IC Insights的2020-2024年全球晶圓產能報告中的信息,從2024年開始,領先(<10nm)工藝的IC容量預計將增長,并將成為整個行業每月安裝容量的最大部分。到2020年底,<10nm的產能預計將占IC工業晶圓總產能的10%,然后預計2022年將首次超過20%,并在2024年增加至全球產能的30% (圖1)。組成一代的人以及如何測量最小過程幾何尺寸每年都變得越來越困難。因此,關于新工藝技術的晶圓廠產能的任何假設都可能對以最小特征尺寸進行晶圓產能的預測產生重大影響。

圖1

       不斷縮小最小幾何尺寸的動機是巨大的,因為這樣做有很多好處:更高的速度,更低的功耗,更低的單位面積成本等,但是有時候會出現收益遞減的問題,使芯片設計人員懷疑高成本是否值得。擴展的成本優勢已不再是過去。

       與<10nm制程技術相關的設備成本已經飆升至許多IC供應商無法承受的地步。因此,目前只有三星,臺積電和英特爾使用小于10納米工藝技術的晶圓廠。

       同時,設計難題(例如,繼續縮小DRAM和NAND閃存單元的體積)阻礙了IC行業使用多年的縮放方法。復雜的基于邏輯的芯片(例如微處理器,ASIC,FPGA和其他高級邏輯設備)也面臨挑戰。

       IC Insights相信,隨著復雜的基于邏輯的芯片的細微特征尺寸的遷移速度將繼續放緩,因為芯片設計人員發現越來越難以證明較高的成本是合理的。對于從更高速度,更低功耗等中受益匪淺的應用,將對領先的finFET工藝及更高工藝提出健康的需求。半步生成或現有過程的增強版本的推出也有助于在每個新一代節點之間傳遞更多的時間。

       2020-2024年全球晶圓產能報告的其他發現包括:

       ? 到2020年,預計所有晶圓容量的48%將用于最小幾何尺寸(或等效的最小幾何尺寸)小于20nm的設備(<10nm時為10.0%; 10-20nm時為38.4%)。此類設備包括具有等效10nm級技術的高密度DRAM和高密度3D NAND閃存,高性能微處理器,低功耗應用處理器以及基于16 / 14nm,12 / 10nm的高級ASIC / ASSP / FPGA器件,或7 / 5nm技術。

       ? 韓國擁有66%的產能專用于<20nm制程技術,與其他地區或國家相比,韓國的領先優勢仍然明顯得多。鑒于三星和SK Hynix對高密度DRAM,閃存和三星應用處理器的重視,該國擁有最先進的晶圓產能集中度不足為奇。

       ? 蘋果公司,華為公司和高通公司使用臺積電的前沿邏輯鑄造服務。結果,臺灣<20nm的總產能超過35%。盡管如此,28nm,45 / 40nm和65nm世代繼續為臺積電和聯電等代工廠創造大量業務。

       ?中國 大多數<20nm的產能由外國公司擁有和控制,這些外國公司包括三星,SK海力士,英特爾和臺積電。YMTC和中芯國際是僅有的提供<20nm制程技術的中國公司。



源文地址:https://www.icinsights.com/news/bulletins/Wafer-Capacity-By-Feature-Size-Shows-Strongest-Growth-At-10nm/
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